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Title: Caratterizzazione e modellistica di transistori ad alta frequenza per applicazioni a basso rumore ed ad alta potenza
Authors: Limiti, Ernesto
Nanni, Antonio
Keywords: caratterizzazione
FET
dispersione
modello
Volterra
Issue Date: 6-Aug-2009
Abstract: Le applicazioni commerciali nel settore delle comunicazioni personali e wireless, nei sistemi di telerilevamento e RADAR, nonché per l’elettronica di bordo satellitare ed avionica, richiedono all’elettronica di front-end prestazioni sempre più stringenti sia in termini di banda utilizzata che di potenza di uscita e di basso rumore. Tali richieste impongono da un lato la rivisitazione critica e l’adeguamento delle metodologie di progetto sin qui utilizzate per lo sviluppo dei sistemi a microonde/onde millimetriche, e dall’altro spingono alla ricerca di tecnologie e di dispositivi attivi in grado di soddisfare i requisiti operativi di densità di potenza a millimetro (mm) e bassa rumorosità. Rivolgendo l’attenzione alle applicazioni ad ampio segnale, le prestazioni in termini di potenza di uscita sono essenzialmente dettate dalle limitazioni fisiche imposte dal dispositivo attivo. In maggiore dettaglio, le escursioni della corrente di uscita dei transistori sono limitate dalla conduzione ...
Description: 21. ciclo
URI: http://hdl.handle.net/2108/996
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